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龙图腾网恭喜赣州市创发光电科技有限公司申请的专利一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116903359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310885547.3，技术领域涉及：C04B35/453；该发明授权一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法是由黄信二;黄煜翔设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法，包括通过注浆成型加中高温烧结的方式制作氧化铟锡、氧化铟锌或是氧化铟锡锌靶材以及对应的含银氧化铟锡、含银氧化铟锌或是含银氧化铟锡锌靶材，借由添加氧化银粉末或是纯银粉末降低烧结温度，提高靶材密度及导电性；将玻璃基板或完成PECVD工艺的N型硅片，以及靶材和对应的含银靶材放入真空溅镀机中，在室温条件下进行镀膜，形成电镀铜多层薄膜结构，并进行黄光制程及蚀刻制程，形成铜金属栅线，完成薄膜线路的制作。本发明可实现将靶材与传统的透明导电膜靶材放在同一个溅镀机上溅镀，能够满足异质结电池及异质结钙钛矿叠层电池的铜电镀金属化的性能需求。

本发明授权一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜线路的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将氧化锡粉末、氧化锌粉末或氧化锡粉末和氧化锌粉末加入氧化铟粉末中，加入氧化锆球、纯水及分散剂进行充分研磨混合形成浆料，将研磨后的浆料灌入多孔性模具中进行干燥，形成氧化铟锡低密度胚体、氧化铟锌低密度胚体或氧化铟锡锌低密度胚体；S2：对制得的氧化铟锡低密度胚体、氧化铟锌低密度胚体或氧化铟锡锌低密度胚体进行烧结，烧结后进行切割和表面研磨形成氧化铟锡高密度靶材胚体、氧化铟锌高密度靶材胚体或氧化铟锡锌高密度靶材胚体；S3：将氧化铟锡高密度靶材胚体、氧化铟锌高密度靶材胚体或氧化铟锡锌高密度靶材胚体用铟帮定在铜背板上面形成溅镀用的氧化铟锡靶材、氧化铟锌靶材或氧化铟锡锌靶材；S4：将氧化锡粉末、氧化锌粉末或氧化锡粉末和氧化锌粉末，以及氧化银粉末或纯银粉末加入氧化铟粉末中，并加入氧化锆球、纯水及分散剂进行充分研磨混合形成浆料，将研磨后的浆料灌入多孔性模具中进行干燥，形成含银氧化铟锡低密度胚体、含银氧化铟锌低密度胚体或含银氧化铟锡锌低密度胚体；S5：对制得的含银氧化铟锡低密度胚体、含银氧化铟锌低密度胚体或含银氧化铟锡锌低密度胚体进行烧结，烧结后进行切割和表面研磨形成含银氧化铟锡高密度靶材胚体、含银氧化铟锌高密度靶材胚体或含银氧化铟锡锌高密度靶材胚体；S6：将含银氧化铟锡高密度靶材胚体、含银氧化铟锌高密度靶材胚体或含银氧化铟锡锌高密度靶材胚体用铟帮定在铜背板上面形成溅镀用的含银氧化铟锡靶材、含银氧化铟锌靶材或含银氧化铟锡锌靶材；S7：将玻璃基板或完成PECVD工艺的N型硅片，以及靶材和对应的含银靶材放入真空溅镀机中，在室温条件下进行镀膜，在玻璃基板或完成PECVD工艺的N型硅片上依次溅镀50~150nm厚的氧化铟锡薄膜、氧化铟锌薄膜或氧化铟锡锌薄膜以及5~20nm厚的含银氧化铟锡薄膜、含银氧化铟锌薄膜或含银氧化铟锡锌薄膜；对含银氧化铟锡薄膜、含银氧化铟锌薄膜或含银氧化铟锡锌薄膜表面进行黄光制程,再电镀5~20µm厚的纯铜薄膜，然后进行蚀刻制程，形成铜金属栅线，完成薄膜线路制作。

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