恭喜南京信息工程大学徐晖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜南京信息工程大学申请的专利一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116839731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310839835.5，技术领域涉及：G01J3/28；该发明授权一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器是由徐晖;王华来;刘向设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器，属于激光光谱探测技术领域，并整体采用“电”栅极代替光栅，构建以p‑i‑n晶体管异质结为核心的光谱传感器。本发明开发的光谱传感器可以利用电栅压对不同波段的激光进行分光采集，利用深度学习方法实现了多组分激光光谱寻址和重构；构建高性能的光谱可调的p‑i‑n晶体管异质结改善激光动态响应的特性，从而降低高频高速环境下的激光信号的非线性失真，衰减以及频移；实现了传感器对不同波段激光分光，可以快速重构激光光谱，及时采集数据进行分析处理。
本发明授权一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器在权利要求书中公布了：1.一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器，包括，其特征在于，包括栅极1、源极2、P型半导体材料层3、N型半导体材料层4和漏极5，栅极1与源极2之间存在电压差，源极2与P型半导体材料层3连接，P型半导体材料层3与N型半导体材料层4连接，N型半导体材料层4与漏极5连接；所述P型半导体材料层3与N型半导体材料层4形成p-i-n晶体管异质结，所述p-i-n晶体管异质结不同栅压下表现出偏振敏感特性，非晶态N型半导体材料层4作为器件的感光层，所述栅极1采用电栅极，栅压能够改变；所述P型半导体材料层3使用材料包括氧化镍、氧化亚铜、氧化钴、三氧化二铬、氧化锡或硫化亚铜；所述N型半导体材料层4使用材料包括硒化铅、五氧化二钒、三氧化铬、氧化钛、三氧化钨或三氧化二铁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京信息工程大学，其通讯地址为：210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号