恭喜浙江奥首材料科技有限公司武文东获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116333744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211725718.8，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用是由武文东;侯军;田继升设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用，本发明半导体硅片蚀刻液，包括重量配比如下的各组分：无机酸1‑6份；铵盐7‑20份；有机酸30‑40份；超纯水30‑60份。本发明半导体硅片蚀刻液的制备方法包括以下步骤：按照重量配比分别称取各组份；先将超纯水加入容器中，而后将其他组分加入容器，在搅拌下将容器的温度稳定在20‑40℃内，直至所有组分完全溶解，溶液呈无色或淡黄色，制备得到半导体硅片蚀刻液。本发明半导体硅片蚀刻液是一种安全、环保、高效的蚀刻液，该蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻面平整，对粗糙硅表面具有化学抛光作用，可在半导体领域应用，能解决芯片硅衬底的减薄问题。
本发明授权一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体硅片蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：无机酸1-6份；铵盐7-20份；有机酸30-40份；超纯水30-60份；所述无机酸包括A组分和B组分，所述A组分为氢氟酸，所述B组分为盐酸、氢溴酸、碘酸、硫酸、磷酸、硝酸和高氯酸中的一种或几种；所述有机酸为间苯三甲酸和2-巯基乙磺酸。
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