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龙图腾网恭喜重庆邮电大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种基于三路径的高线性度栅压自举开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115913201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428170.0，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种基于三路径的高线性度栅压自举开关是由赵汝法;戴佳洪;稅绍林;尹国和;王巍;王冠宇;王育新;王妍;刘建伟;梁宏玉设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三路径的高线性度栅压自举开关在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。

本发明授权一种基于三路径的高线性度栅压自举开关在权利要求书中公布了：1.一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，其特征在于，包括：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、负载电容CL以及若干个MOS管，其中，所述MOS管包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12和自举开关管MSW，其中PMOS管M10、PMOS管M11以及PMOS管M12尺寸相同，第一电容C1和第二电容C2以及第三电容C3的电容大小相同；所述NMOS管M1的漏极连接自举开关管MSW的源极并作为栅压自举开关电路的输入端；NMOS管M1的栅极连接NMOS管M3的栅极、NMOS管M8的源极、PMOS管M6和PMOS管M7的漏极、NMOS管M10的栅极和NMOS管M11的栅极以及NMOS管M12的栅极；NMOS管M1的源极分别连接电容C1,C2,C3的负端，NMOS管M2的漏极，NMOS管M3的源极和NMOS管M4的源极；所述NMOS管M2的源极连接地，NMOS管M2的栅极连接NMOS管M9管的栅极并作为栅压自举开关的时钟反向信号；所述NMOS管M3的漏极连接NMOS管M4的漏极、PMOS管M5的漏极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极；所述NMOS管M4的栅极连接NMOS管M5的栅极并作为栅压自举开关的时钟正向信号；所述NMOS管M5的源极连接VDD；所述PMOS管M6的源极连接第二电容C2的正端，所述PMOS管M6的衬底连接第三电容C3的正端；所述PMOS管M7的源极连接第一电容C1的正端，所述PMOS管M7的衬底连接第三电容C3的正端；所述NMOS管M8的漏极连接NMOS管M9的源极，所述NMOS管M8的衬底连接VDD；所述NMOS管M9的漏极连接地；所述PMOS管M10的漏极与PMOS管M11和PMOS管M12的漏极均连接VDD；所述PMOS管M10的源极连接PMOS管M7的源极和第一电容C1的正端、所述PMOS管M10的栅极连接PMOS管M7的漏极、所述PMOS管M10的衬底连接PMOS管M7的衬底和PMOS管M12的衬底；所述PMOS管M11的源极连接PMOS管M6的源极和第二电容C2的正端、PMOS管M11的衬底连接PMOS管M6的衬底和PMOS管M12的衬底；所述PMOS管M12的源极连接第三电容C3的正端，PMOS管M6的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M12的衬底；所述自举开关管MSW漏极作为栅压自举输出信号端并连接负载电容CL，其栅极连接NMOS管M1的栅极；所述NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M8、NMOS管M9、自举开关管MSW的衬底连接地；所述PMOS管M5，PMOS管M6，PMOS管M7的衬底连接VDD。

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