恭喜陕西科技大学苏莹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜陕西科技大学申请的专利单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210998116.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用是由苏莹;翟配郴;丁利苹;娄瑞;尉国栋设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了单晶硅上3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；采用等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，即获得所述3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜。本发明采用“自下而上”的方式制备的薄膜面积大，制备方法简单、成本低、效率高且安全易操作，并对低维纳米结构具有一定的普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
本发明授权单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线的悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线的悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；其中，所述异质结结构为p-i结、p-n结和p-i-n结中的任意一种；步骤2，采用氩等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，以将相邻的纳米线之间焊接形成碳化硅纳米线网络薄膜，即获得所述3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陕西科技大学，其通讯地址为：710021 陕西省西安市未央大学园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号