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龙图腾网恭喜上海海事大学申请的专利一种SiC MOSFET的驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115313809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210975334.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种SiC MOSFET的驱动方法是由姚志垒;沙琪园设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET的驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOSFET的驱动方法，属于电力电子技术领域。该驱动方法包括：输入信号输入调制解调电路，实现电路的电气隔离，产生控制信号；控制信号输入逻辑控制电路，与短路保护电路输出的故障信号进行逻辑组合，生成驱动信号；逻辑控制电路的输出信号和SiCMOSFET的漏极输出信号输入短路保护电路，输出故障信号给逻辑控制电路；驱动信号输入功率放大电路，输出增强的驱动信号；增强驱动信号输入米勒钳位电路，对SiCMOSFET的桥臂电路开通关断产生的串扰尖峰进行抑制。本发明能够对串扰现象进行有效抑制，并且可以在突发的短路现象情况下对SiCMOSFET进行有效保护。

本发明授权一种SiC MOSFET的驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET的驱动方法，其特征在于：包含SiCMOSFET驱动电路，所述驱动电路包括调制解调电路、逻辑控制电路、功率放大电路、米勒钳位电路、短路保护电路、第一供电电源、第二供电电源和第三供电电源；所述驱动电路分别与输入信号输入端和功率电路连接；所述驱动方法包括如下步骤：（1）产生控制信号：输入信号PWM输入所述调制解调电路，实现电路的电气隔离，产生控制信号；（2）生成驱动信号：所述控制信号输入所述逻辑控制电路，与所述短路保护电路输出的故障信号进行逻辑组合，生成驱动信号；所述逻辑控制电路包括：第一与门和第四非门；所述第一与门的第一输入端连接到所述短路保护电路的输出端，其第二输入端分别和所述调制解调电路的输出端、所述第四非门的输入端连接，其输出端连接到所述功率放大电路的输入端，所述第四非门的输出端连接到所述短路保护电路的第二输入端；（3）短路保护：所述逻辑控制电路的输出信号和SiCMOSFET的漏极输出信号输入短路保护电路，检测短路故障并输出故障信号给所述逻辑控制电路；（4）驱动信号增强：所述驱动信号输入所述功率放大电路，用于增强所述驱动信号的驱动能力，输出增强的驱动信号；（5）串扰抑制：增强的驱动信号输入所述米勒钳位电路，对所述SiCMOSFET的桥臂电路开通关断产生的串扰尖峰进行抑制，控制所述SiCMOSFET的开通和关闭；所述米勒钳位电路包括：第一比较器、第七电阻、第八电阻、第四电容和第四开关管；所述第八电阻的第一端接到所述SiCMOSFET的栅极，所述第七电阻和所述第八电阻串联连接，所述第七电阻的第二端连接到所述第一供电电源的正极，所述第四电容与所述第七电阻并联连接，所述第一比较器的负向输入端连接到所述第八电阻的第二端，其正向输入端连接到所述功率电路的参考地，其输出端连接到所述第四开关管的第二端，所述第四开关管的第一端连接到所述SiCMOSFET的栅极，其第三端连接到所述第一供电电源的正极；所述米勒钳位电路，当检测到所述第一比较器的负向输入端电压小于所述功率电路参考零电位时，使得所述第四开关管导通，将所述SiCMOSFET的栅极电压钳位在所述第一供电电源电压处，直至正向驱动电压信号到来，使得所述第四开关管关断。

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