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龙图腾网恭喜西安工程大学申请的专利顶注入电光调制结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114911081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210734456.5，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权顶注入电光调制结构是由冯松;王迪;胡翔建;刘勇;陈梦林;冯露露设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本顶注入电光调制结构在说明书摘要公布了：本发明公开了顶注入电光调制结构，顶注入电光调制结构，包括SiO2埋氧层，SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上覆盖两个N++阱区、Si平板层，两个N++阱区分居Si平板层两侧，Si平板层上中部覆盖波导区，波导区上部覆盖P++阱区，每个N++阱区上均连接阴极电极，N++阱区上覆盖阴极电极以外的区域、阴极电极、P++阱区、Si平板层上覆盖波导区以外的区域上均覆盖SiO2覆盖层；通过在脊形顶部P型重掺杂，平板层N型重掺杂，从而形成顶注入新型p‑i‑n电光调制结构，提高载流子注入，增强等离子色散效应。

本发明授权顶注入电光调制结构在权利要求书中公布了：1.顶注入电光调制结构，其特征在于，包括SiO2埋氧层（1），所述SiO2埋氧层（1）上覆盖两个N++阱区（2）、Si平板层（3），两个所述N++阱区（2）分居Si平板层（3）两侧，所述Si平板层（3）上中部覆盖波导区（4），所述波导区（4）上部覆盖P++阱区（5），所述P++阱区（5）上连接阳极电极（17），每个所述N++阱区（2）上均连接阴极电极（6），N++阱区（2）上覆盖阴极电极（6）以外的区域、阴极电极（6）、P++阱区（5）、阳极电极（17）、Si平板层（3）上覆盖波导区（4）以外的区域上均覆盖SiO2覆盖层（7）；波导区（4）材料为SiGe，波导宽度为420nm，所述波导区（4）与P++阱区（5）的高度和为130nm；Si平板层（3）高度90nm；所述P++阱区（5）的掺杂浓度为1×1020cm-3～5×1020cm-3，掺杂剂为B离子；P++阱区（5）的高度为1~100nm，宽度为420nm；所述N++阱区（2）的掺杂浓度为1×1020cm-3～5×1020cm-3，掺杂剂为P离子；N++阱区的高度为90nm，宽度为1μm；所述N++阱区（2）与波导区（4）边界距离为1μm。

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