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龙图腾网恭喜钢铁研究总院有限公司申请的专利一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210829133.4，技术领域涉及：H01F1/055；该发明授权一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法是由方以坤;王超;李卫;李强锋;肖逸菲;王磊;郑蒙;朱明刚设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法，该永磁体通过如下步骤制备：合金铸锭、破碎制粉、混粉、取向成型、烧结、回火；在合金铸锭步骤中，按照如下化学式配置两种合金原料，SmCo1‑a‑b‑cCuaFebZrcz和RCo1‑a‑b‑cCuaFebZrcz，其中R为Gd或Gd与Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu中的一种或两种及以上元素的组合元素；a:0.06～0.12，b:0.05～0.25，c:0.02～0.04，z:6.5～8.0。本发明通过调整磁体的有序化过程以及热处理工艺优化，使磁体的片状相密度在0～0.04nm‑1可调。通过控制磁体中片状相密度，进而影响永磁体胞壁相中Cu元素的分布宽度以及平均浓度分别在10～30nm和10～30at％范围内变化，实现对稀土钴基永磁体矫顽力温度系数的调控，得到不同温度稳定性的磁体，满足不同温度区间下磁体的稳定应用。

本发明授权一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善稀土钴基永磁体温度系数的方法，其特征在于：所述的稀土钴基永磁体的制备方法包括如下步骤：（1）合金铸锭：按照如下化学式配置第一合金原料和第二合金原料，第一合金原料成分为SmCo1-a-b-cCuaFebZrcz，第二合金原料成分为RCo1-a-b-cCuaFebZrcz，其中R为Gd或Gd与Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu中的一种或两种及以上元素的组合元素，Gd含量占组合元素的质量分数不低于50%；a:0.06～0.12，b:0.05～0.25，c:0.02～0.04，z:6.5～8.0；将配置好的合金原料分别熔炼、浇注得到第一合金和第二合金的母合金铸锭；（2）破碎制粉：将上述母合金铸锭经过粗破碎、气流磨破碎至平均粒度为2.5～4.5μm，获得第一合金SmCo1-a-b-cCuaFebZrcz和第二合金RCo1-a-b-cCuaFebZrcz两种合金粉末；（3）混粉：按如下质量百分比分别称取上述两种合金粉末，在混料机中将两种合金粉末充分混合：第一合金粉末60~80%，其余为第二合金；（4）取向成型：在惰性气体保护下，将混合磁粉在磁场强度为1.5~2.3T的磁场中取向成型，再进行冷等静压压制，得到磁体生坯；（5）烧结：将磁体生坯在1200～1235℃烧结，时间为1.0～2.5h，然后进行固溶处理，固溶温度为1165～1215℃，时间为2～10h，获得烧结态磁体；（6）回火：对烧结态磁体进行回火处理，回火工艺为790～870℃，保温0.5～5h，随后以0.5～2℃min的冷却速率冷却至300～400℃，获得终态磁体；该方法通过调控片状相密度改善永磁体的温度系数：使磁体的片状相密度在0~0.04nm-1可调；通过实现磁体的片状相密度在0~0.04nm-1可调，进而影响永磁体胞壁相中Cu元素的分布宽度以及平均浓度分别在10~30nm和10~30at%范围内变化，实现对稀土钴基永磁体矫顽力温度系数的调控。

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