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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111520638.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构的形成方法是由段松汉;齐翔羽;薛立平;佟宇鑫;顾林;王虎设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：回刻蚀所述第一介质材料层和第二介质材料层直至暴露出所述刻蚀停止层，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙包括第一介质层和第二介质层，以所述第一介质材料层形成第一介质层，以所述第二介质材料层形成第二介质层；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第二介质层；去除所述第一开口内的所述第二介质层后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第二介质层的厚度，利于后续层间介质层在第一栅极和第二栅极之间的填充，从而提高器件的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；形成所述存储区上的第一栅极和若干第二栅极，以及外围区上的若干第三栅极，所述第一栅极和相邻的第二栅极之间具有第一开口；在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成刻蚀停止层、位于所述刻蚀停止层上的第一介质材料层，以及位于所述第一介质材料层上的第二介质材料层；回刻蚀所述第一介质材料层和第二介质材料层直至暴露出所述刻蚀停止层，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙包括第一介质层和第二介质层，以所述第一介质材料层形成第一介质层，以所述第二介质材料层形成第二介质层；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第二介质层；去除所述第一开口内的所述第二介质层后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第二介质层的厚度。

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