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龙图腾网恭喜深圳市嘉合劲威电子科技有限公司申请的专利一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111447238.5，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置是由陈晖;陈任佳;刘文;钟林峰设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置，包括依据不良IC的不良区域将不良IC划分至地址线组和位址线组；选择地址线组内的任一分组中至少两个不良IC以及选择位址线组内的任一分组中至少一个不良IC；依据不良IC的分组和预设规则，划分不良IC中地址线位的IC位区；依据IC位区确定不良IC的排列顺序；依据不良IC的类型和排列顺序，调整×16IC单晶封装的PCB板的布局。通过利用出厂的×8单晶封装的不良IC对×16单晶封装的不良IC进行修补，从而重组为合格产品，高效地利用了不良产品，节省资源，同时也在一定程度上有利于环境的保护。

本发明授权一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶内存修补单晶内存的方法，其特征在于，应用于×8单晶封装的不良IC和×16单晶封装的不良IC的重组封装，包括：依据所述不良IC的不良区域将所述不良IC划分至地址线组和位址线组；其中，所述地址线组为仅×16单晶封装的不良IC中地址线不良的分组，所述位址线组为仅×8单晶封装的不良IC中位址线不良的分组；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0-3位的A分组、不良区域仅为4-7位的B分组、不良区域仅为8-11位的C分组、不良区域仅为12-15位的D分组和不良区域仅为8-15位的E分组；所述位址线组包括位址线BG1不良的F分组和G分组；其中，F分组为BG1=1，G分组为BG1=0；选择所述地址线组内的任一分组中至少两个不良IC以及选择所述位址线组内的任一分组中至少一个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC单晶封装的PCB板的布局。

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