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龙图腾网恭喜大连东软信息学院申请的专利基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113965196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111242753.X，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路是由王森;丛国涛;李鹤楠;山丹;王晓袁设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路，包括：第一输入端、第二输入端、第三输入端、中间运算电路、第一输出端、第二反相器和第二输出端；中间运算电路包括若干第一反相器、第一二输入与门、第二二输入与门、第三二输入与门、三输入或门。中间运算电路与输入端连接，其输出端与三输入或门连接，三输入或门与第二反相器串联，第二反相器的输出端作为第二输出端。本发明以择多逻辑门电路为基础，设计了一种基于磁电效应的时钟控制方案。该时钟控制方案相对于其他已知的时钟控制方案，能进一步减小电路功耗，提高电路速度，且电路结构简单，制备容易。同时，该时钟控制方案不仅适用于择多逻辑门电路，还能应用于其他NML电路中。

本发明授权基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路在权利要求书中公布了：1.一种基于磁电效应时钟控制方法的纳磁逻辑择多逻辑门电路，其特征在于，所述纳磁逻辑择多逻辑门电路包括：第一输入端A、第二输入端B、第三输入端C、输入接口电路、中间运算电路M、第一输出端F、第二反相器a4和第二输出端F′；所述中间运算电路M包括若干第一反相器a1、第一二输入与门a21、第二二输入与门a22、第三二输入与门a23、三输入或门a3；所述第一二输入与门a21第一路输入端与第二输入端B连接；所述第一二输入与门a21第二路输入端与所述第一反相器a1串联，并与所述第一输入端A连接；所述第一二输入与门a21的输出端作为所述三输入或门a3的第一路输入端；所述第二二输入与门a22第一路输入端与所述第一反相器a1串联，并与所述第三输入端C连接；所述第二二输入与门a22第二路输入端与所述第二输入端B连接；所述第二二输入与门a22的输出端作为所述三输入或门a3的第二路输入端；所述第三二输入与门a23第一路输入端与所述第一反相器a1串联，并与所述第三输入端C连接；所述第三二输入与门a23第二路输入端与所述反相器a1串联，并与所述第一输入端A连接；所述第三二输入与门a23的输出端作为所述三输入或门a3的第三路输入端；所述三输入或门a3的输出端为所述第一输出端F；所述三输入或门a3与所述第二反相器a4串联，以第一输出端F作为所述第二反相器a4的输入端，所述第二反相器a4的输出端作为第二输出端F′图；所述纳磁逻辑择多逻辑门电路的结构包括：输入层1、自由层2、磁电层3、金属线4和衬底5；所述输入层1包括第一输入端A层、第二输入端B层和第三输入端C层；所述自由层2包括择多逻辑门的中间运算电路M层、第一输出端F层和第二输出端F′层；所述第一输入端A层、第二输入端B层、第三输入端C层、中间运算电路M层、第一输出端F层和第二输出端F′层均堆积在衬底5上；所述第一输入端A层和第三输入端C层设置于所述中间运算电路M层相对的两侧；所述第二输入端B层设置于所述中间运算电路M层与所述第一输入端A层相邻的一侧；所述第一输出端F层设置于所述中间运算电路M层与所述第二输入端B层相对的另一侧；所述第二输出端F′层设置于所述第一输出端F层远离所述中间运算电路M层的一侧；所述磁电层3包括若干磁电材料块31；所述中间运算电路M层、第一输出端F层和第二输出端F′层设置在所述衬底5和所述磁电材料块31中间；所述金属线4包括若干第一金属线41和第二金属线42；所述第一金属线41一端与所述磁电材料块31连接，另一端与所述第二金属线42连接；所述第二金属线42与时钟控制信号端CLK连接。

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