恭喜深圳市国微电子有限公司杜明获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市国微电子有限公司申请的专利功率管隔离结构和功率集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111055466.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率管隔离结构和功率集成电路是由杜明;羊军;于顺琴;蒋卫;苟肖莹设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率管隔离结构和功率集成电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种功率管隔离结构和功率集成电路，通过第一N型隔离环收集功率管产生的电子；通过第二P型隔离环与功率管形成电场吸收功率管产生的电子；通过第二N型隔离环吸收功率管产生的电子，从而减小少子向衬底的注入总量和衬底电流，减少少子横向传递到达控制部分电路的干扰电流，达到保护控制电路正常工作的作用。
本发明授权功率管隔离结构和功率集成电路在权利要求书中公布了：1.一种功率管隔离结构，其特征在于，包括：第一N型隔离环，所述第一N型隔离环的衬底与功率管内第一P型隔离环的衬底连接且所述第一N型隔离环的掺杂端与所述第一P型隔离环的掺杂端或第二P型隔离环的掺杂端电连接，被配置为收集所述功率管产生的电子；所述第二P型隔离环，所述第二P型隔离环的衬底与所述第一N型隔离环的衬底连接，被配置为与所述功率管形成电场吸收所述功率管产生的电子；第二N型隔离环，所述第二N型隔离环的衬底与所述第二P型隔离环的衬底连接，被配置为吸收所述功率管产生的电子；N型隔离环包括N型掺杂、N阱、深N阱、N型埋层和第一衬底，所述第一衬底上铺设所述N型埋层，所述N型埋层上铺设所述深N阱，所述深N阱上铺设所述N阱，所述N阱上铺设所述N型掺杂；P型隔离环包括P型掺杂、P阱、P型埋层和第二衬底，所述第二衬底上铺设所述P型埋层，所述P型埋层上铺设所述P阱，所述P阱上铺设所述P型掺杂。
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