恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨柏峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括外延源极线和位线的存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110327370.6，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权包括外延源极线和位线的存储阵列是由杨柏峰;杨世海;张志宇;徐志安;林佑明设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括外延源极线和位线的存储阵列在说明书摘要公布了：本公开涉及包括外延源极线和位线的存储阵列。公开了一种3D存储阵列及其形成方法，其中，水平合并并且垂直不合并的外延源极漏极区域被用作源极线和位线。在实施例中，一种存储阵列包括：第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一外延区域，电耦合到第一沟道区域；第二外延区域，在与半导体衬底的主表面垂直的方向上位于第一外延区域正上方；电介质材料，在第一外延区域和第二外延区域之间，第二外延区域通过电介质材料与第一外延区域隔离；栅极电介质，围绕第一沟道区域；以及栅极电极，围绕栅极电介质。
本发明授权包括外延源极线和位线的存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，包括：第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一外延区域，电耦合到所述第一沟道区域；第二外延区域，在与所述半导体衬底的主表面垂直的方向上位于所述第一外延区域正上方；电介质材料，在所述第一外延区域和所述第二外延区域之间，其中，所述第二外延区域通过所述电介质材料与所述第一外延区域隔离；栅极电介质，围绕所述第一沟道区域；栅极电极，围绕所述栅极电介质；第二沟道区域，在与所述半导体衬底的主表面垂直的方向上位于所述第一沟道区域正上方，所述第二沟道区域电耦合到所述第二外延区域；以及第三沟道区域，在与所述半导体衬底的主表面平行的方向上与所述第一沟道区域相邻，所述第三沟道区域电耦合到所述第一外延区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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