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龙图腾网恭喜广东芯赛威科技有限公司申请的专利一种自切换阱开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110209632.9，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种自切换阱开关电路是由李明峰设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自切换阱开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，第一高压PMOS管与ISW信号接口串联，第一高压PMOS管与第二高压PMOS管和第三高压PMOS管并联，第二高压PMOS管与INP信号接口串联。本发明仅使用了一个开关管即可实现高侧开关的开启，相较于普通电流开启的高侧开关，达到相同的导通电阻仅需14的开关管面积，同时开关可以自动完成阱电位的切换，即阱电位可以跟随输入输出中较高的电压，没有关断漏电流，且该电路可以通过实现电流控制型开关的VGS等比例开启，提高各路电流控制型开关的通道匹配性以及温度特性，结构简单，降低制造成本。

本发明授权一种自切换阱开关电路在权利要求书中公布了：1.一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，其特征在于：所述第一高压PMOS管的栅极与ISW信号接口连接，所述第一高压PMOS管的栅极与第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一高压PMOS管的衬底连接，所述第一高压PMOS管的第一端与第二高压PMOS管的第一端连接，所述第一高压PMOS管的第二端与第三高压PMOS管的第一端连接，且所述第二高压PMOS管的第二端和第三高压PMOS管的第二端与所述第一高压PMOS管的衬底连接，所述第二高压PMOS管的第二端与所述第三高压PMOS管的第二端连接，所述第二高压PMOS管的第一端与第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与第二高压PMOS管的第二端连接，所述第二高压PMOS管的栅极与第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第三高压PMOS管的第一端连接，所述第二高压PMOS管的第一端与INP信号接口连接，所述第三高压PMOS管的第一端与第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述第三高压PMOS管的第二端连接，所述第三高压PMOS管的栅极与第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二高压PMOS管的第一端连接，所述第三高压PMOS管的第一端与INN信号接口连接；所述第一高压PMOS管为对称结构的高压PMOS管；所述第二高压PMOS管为非对称结构的高压PMOS管；所述第一高压PMOS管为P1，所述第二高压PMOS管为P2，所述第三高压PMOS管为P3，所述第一电阻为R1，所述第二电阻为R2，所述第一二极管为DP2，所述第二二极管为DP3。

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