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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011580881.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法是由金宏峰;孙贵鹏;林峰;李春旭;陈淑娴;黄宇;曹瑞彬;赵伟设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位于有源区的上方，上极板包括孔槽和填充于孔槽的导电材料，孔槽贯穿介质层且延伸至阻挡层；接触孔，贯穿介质层且延伸至半导体衬底；上极板金属互联，位于多个上极板的上方并与多个上极板电连接，且将多个上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于接触孔的上方并与接触孔电连接，且将半导体衬底电连接至下极板焊盘。

本发明授权一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法在权利要求书中公布了：1.一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，所述半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于所述半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖所述半导体衬底和所述阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个所述上极板位于所述有源区的上方，所述上极板包括孔槽和填充于所述孔槽的导电材料，所述孔槽贯穿所述介质层且延伸至所述阻挡层；所述上极板作为浮置源极接触；接触孔，贯穿所述介质层且延伸至所述半导体衬底；上极板金属互联，位于多个所述上极板的上方并与多个所述上极板电连接，且将多个所述上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于所述接触孔的上方并与所述接触孔电连接，且将所述半导体衬底电连接至下极板焊盘。

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