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龙图腾网恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112511141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011402055.7，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法是由张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种栅极氧化层烧写电路，所述烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS管HN2；该技术方案既可以在芯片封装后进行，使得封装对芯片的影响可以得到修正。同时利用本专利方法设计的电路，其芯片面积可以做的非常小，生产成本低。

本发明授权一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极氧化层烧写电路，其特征在于，所述烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS管HN2；所述HP1为高耐压PMOS管，HN1和HN2为高耐压NMOS管，LN1和LN2为低耐压NMOS管，高耐压MOS管的击穿电压超过低耐压MOS管击穿电压的3倍以上；高压电源VH的电压值等于低耐压MOS管击穿电压的2倍，低压电源VL的电压值等于低耐压MOS管的正常工作电压，低于低耐压MOS管的击穿电压；所电流源I1为低压电源VL上的1uA电流源；其特征在于，极氧化层烧写电路的烧写方法包括以下步骤：步骤一：烧写过程：在对电路进行烧写时，高压电源VH的电压值等于低耐压MOS管击穿电压的2倍，低压电源VL的电压值等于低耐压MOS管的正常工作电压，低于低耐压MOS管的击穿电压，高耐压PMOS管HP1导通，高耐压NMOS管HN1关断，所以低耐压NMOS管LN1栅极的电压约等于高压电源VH，低耐压NMOS管LN2导通，所以低耐压NMOS管LN2的漏极电压和高耐压NMOS管HN2的源极电压约为0；要对本单元进行烧写，使高耐压NMOS管HN2导通，则HN2的漏极电压降为0，即低耐压NMOS管LN1的源极、漏极和衬底的电压也降为0，于是低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层上将承受高压电源VH，高压电源VH的电压值达到低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层击穿电压的2倍，所以LN1的栅极氧化层将被击穿，并产生漏电流，漏电流约为0.1mA；不对本单元进行烧写，使高耐压NMOS管HN2关断，则HN2的漏极电压为高压电源VH，即低耐压NMOS管LN1的源极、漏极和衬底的电压为高压电源VH，于是低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层上承受的电压为0，低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层不会被击穿，所以LN1的栅极氧化层不会产生漏电流；步骤二：读取过程：在对电路进行读取时，高压电源VH的电压值等于电路正常工作时的电压，低压电源VL的电压值等于低耐压MOS管的正常工作电压，低于低耐压MOS管的击穿电压，高耐压PMOS管HP1关断，高耐压NMOS管HN1导通，所以低耐压NMOS管LN1栅极的电压约等于0，低耐压NMOS管LN2关断，高耐压NMOS管HN2导通；本单元已被烧写时，则低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层存在漏电，导通电阻为10KΩ~100KΩ，考虑到电流源I1的电流为1uA，所以低耐压NMOS管LN1的源极、漏极和衬底的电压为10mV~100mV，通过Read端口将该电压读取后被判断为低电平；本单元未被烧写时，则低耐压NMOS管LN1的栅极氧化层不存在漏电，导通电阻为无穷大，所以低耐压NMOS管LN1的源极、漏极和衬底的电压将被电流源I1拉升到接近于低压电源VL的电压，通过Read端口将低压电源VL的电压读取后被判断为高电平。

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