恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李汝谅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构与图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011228556.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体结构与图像传感器及其形成方法是由李汝谅;郑有宏;杜友伦设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构与图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体结构与图像传感器及其形成方法包括可在半导体衬底的前侧上形成光电探测器、晶体管及金属内连结构。通过各向异性刻蚀工艺朝半导体衬底的前侧穿过背侧表面形成沟槽，各向异性刻蚀工艺提供具有大于0.5纳米的第一均方根表面粗糙度的垂直或锥形表面。通过在低于摄氏500度的生长温度下对沟槽的垂直或锥形表面执行外延生长工艺来沉积单晶半导体衬层。单晶半导体衬层的在实体上被暴露出的侧表面可具有小于0.5纳米的第二均方根表面粗糙度。可在实体上被暴露出的侧表面上形成具有均匀厚度的至少一介电金属氧化物衬层，以提供均匀的带负电的膜，其可被有利地用于减少暗电流及白色像素。
本发明授权半导体结构与图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括衬底半导体层，所述衬底半导体层具有第一平坦表面及与所述第一平坦表面平行的第二平坦表面且含有从所述第二平坦表面朝所述第一平坦表面延伸的沟槽，其中所述衬底半导体层的第一单晶半导体材料在所述沟槽的侧壁处具有垂直或锥形表面，所述垂直或锥形表面具有大于0.5纳米的第一均方根表面粗糙度；单晶半导体衬层，包含第二单晶半导体材料，所述第二单晶半导体材料含有垂直延伸部分，所述垂直延伸部分在第一侧上具有与所述垂直或锥形表面接触的第一侧表面且具有第二侧表面，所述第二侧表面具有小于0.5纳米的第二均方根表面粗糙度；以及至少一介电金属氧化物衬层，位于所述单晶半导体衬层的所述第二侧表面上。
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