恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈文彦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利通过回流填充材料进行沟槽填充获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011190662.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权通过回流填充材料进行沟槽填充是由陈文彦;王立廷;谢宛蓁;卢柏全;黄泰钧;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过回流填充材料进行沟槽填充在说明书摘要公布了：本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极漏极区域。
本发明授权通过回流填充材料进行沟槽填充在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于所述第一突出鳍和所述第二突出鳍之间；沉积延伸到所述沟槽中的沟槽填充材料；对所述沟槽填充材料执行激光器回流工艺，其中，在所述激光器回流工艺中，所述沟槽填充材料的温度高于所述沟槽填充材料的第一熔点，并且低于所述第一突出鳍和所述第二突出鳍的第二熔点；在所述激光器回流工艺被执行的同时，使用温度调节单元调节所述基底结构的温度，其中所述温度调节单元在所述基底结构下方；在所述激光器回流工艺之后，使得所述沟槽填充材料被凝固；对所述沟槽填充材料进行图案化，其中，所述沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分；以及在所述栅极堆叠件的一侧上形成源极漏极区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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