恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍端部栅极结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011172342.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权鳍端部栅极结构及其形成方法是由林士尧;高魁佑;陈振平;林志翰设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍端部栅极结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及鳍端部栅极结构及其形成方法。一种方法包括：在突出鳍的第一部分和第二部分上同时形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；同时去除第一虚设栅极堆叠的第一栅极电极和第二虚设栅极堆叠的第二栅极电极，以分别形成第一沟槽和第二沟槽；形成蚀刻掩模，其中，蚀刻掩模填充第一沟槽和第二沟槽；图案化蚀刻掩模以从第一沟槽去除蚀刻掩模；去除第一虚设栅极堆叠的第一虚设栅极电介质，其中，蚀刻掩模保护第一虚设栅极堆叠的第二栅极电介质不被去除；以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一替换栅极堆叠和第二替换栅极堆叠。
本发明授权鳍端部栅极结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一突出鳍上沉积堆叠层；图案化所述堆叠层以形成下列项：第一栅极堆叠，包括：第一栅极电介质，在所述第一突出鳍的中间部分上；以及第一栅极电极，在所述第一栅极电介质上；以及第二栅极堆叠，包括：第二栅极电介质，在所述第一突出鳍的端部部分上；以及第二栅极电极，在所述第二栅极电介质上；去除所述第一栅极电极和所述第二栅极电极以分别露出所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质；去除所述第一栅极电介质，其中，所述第二栅极电介质在所述第一栅极电介质被去除之后保留；在所述第一突出鳍的所述中间部分上形成替换栅极电介质；以及分别在所述替换栅极电介质和所述第二栅极电介质上形成第一替换栅极电极和第二替换栅极电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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