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龙图腾网恭喜原子能和辅助替代能源委员会;国立科学研究中心;格勒诺布尔阿尔卑斯大学申请的专利在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011101740.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法是由M·马丁;T·巴龙设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及在[111]取向硅衬底上外延附生GaSe的方法，其包括：‑选择[111]取向硅衬底的步骤，所述衬底由在斜切方向上切割硅棒1而产生，所述斜切方向是三个[11‑2]晶向之一，斜切角α小于或等于0.1°，所获得的衬底的表面形成邻位面2，邻位面2具有多个台面21和在两个台面21之间的至少一个台阶22；‑钝化步骤，其由在所述硅衬底的所述邻位面2上沉积镓和硒的原子双层以形成由硅‑镓‑硒Si‑Ga‑Se制成的钝化的邻位面3组成，所述钝化的邻位面具有多个钝化台面31和在两个钝化台面之间的至少一个钝化台阶32；‑通过在钝化的表面3上外延附生而形成二维GaSe层的步骤，所述形成步骤包括从每个钝化台阶32成核的步骤，和从成核步骤中获得的核41在所述钝化台面31上横向生长的步骤。本发明还涉及利用外延附生方法获得的结构。

本发明授权在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法在权利要求书中公布了：1.在[111]取向硅衬底上外延附生GaSe的方法，其特征在于，所述方法包括：-选择[111]取向硅衬底的步骤，所述衬底由在斜切方向上切割硅棒1而产生，所述斜切方向是三个[11-2]晶向之一，斜切角α小于或等于0.1°，所获得的衬底的表面形成邻位面2，邻位面2具有多个台面21和在两个台面21之间的至少一个台阶22；-钝化步骤，其由在所述硅衬底的所述邻位面2上沉积镓和硒的原子双层以形成由硅-镓-硒Si-Ga-Se制成的钝化的邻位面3组成，所述钝化的邻位面具有多个钝化台面31和在两个钝化台面之间的至少一个钝化台阶32；-通过在钝化的邻位面3上外延附生而形成二维GaSe层的步骤，所述形成步骤包括从每个钝化台阶32成核的步骤，和从成核步骤中获得的核41在所述钝化台面31上横向生长的步骤。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人原子能和辅助替代能源委员会;国立科学研究中心;格勒诺布尔阿尔卑斯大学，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。