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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利双充气室分形喷头获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072107.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权双充气室分形喷头是由克林特·爱德华·托马斯;杰里米·托德·图克;艾伦·M·舍普设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本双充气室分形喷头在说明书摘要公布了：提供了一种双充气室分形DPF喷头，其用于在处理操作期间将不同的半导体处理气体分布至整个半导体晶片上。DPF喷头可具有多个层，每一者具有气体分布特征的图案，每一层上的气体分布特征的形状与其紧邻上游层上的气体分布特征的形状大致相似，但尺寸较小。气体流动通道的这种“分形”状结构在处理操作期间于整个半导体晶片表面上提供非常均匀的处理气体输送，因而提高晶片的均匀性。

本发明授权双充气室分形喷头在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理设备，其包括：喷头，所述喷头包括：主体；第一充气室入口；第二充气室入口；多个第一气体分布孔；以及多个第二气体分布孔，其中：所述主体包括多个层，所述多个层包括两个或更多分形层的子集，每一分形层包括成组的第一径向对称气体分布特征和成组的第二径向对称气体分布特征，每一第一径向对称气体分布特征包括第一中心充气室、流体连接至所述第一中心充气室并从所述第一中心充气室向外辐射的多个第一辐条通道、以及多个第一竖管端口，每一第一竖管端口位于所述第一辐条通道中的一者的一远端处，每一第二径向对称气体分布特征包括第二中心充气室、流体连接至所述第二中心充气室并从所述第二中心充气室向外辐射的多个第二辐条通道、以及多个第二竖管端口，每一第二竖管端口位于所述第二辐条通道中的一者的远端处，所述第一径向对称气体分布特征和所述第二径向对称气体分布特征在所述主体内相互流体隔离，对于所述分形层的每一分形层：所述分形层的每一第一径向对称气体分布特征被定位成使得对应的所述第一中心充气室定位于紧邻上游层的第一竖管端口下方，以及所述分形层的每一第二径向对称气体分布特征被定位成使得对应的所述第二中心充气室定位于所述紧邻上游层的第二竖管端口下方。

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