恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林育樟获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利双掺杂源极/漏极区域及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894439.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权双掺杂源极/漏极区域及其形成方法是由林育樟;张添舜;聂俊峰;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本双掺杂源极/漏极区域及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及双掺杂源极漏极区域及其形成方法。一种方法包括：在半导体鳍中形成源极漏极区域；在形成所述源极漏极区域之后，将第一杂质注入所述源极漏极区域；以及在注入所述第一杂质之后，将第二杂质注入所述源极漏极区域。所述第一杂质具有比所述第二杂质更低的生成焓。所述方法还包括：在注入所述第二杂质之后，对所述源极漏极区域进行退火。
本发明授权双掺杂源极/漏极区域及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍中形成源极漏极区域；在形成所述源极漏极区域之后，将第一杂质注入所述源极漏极区域；在注入所述第一杂质之后，将第二杂质注入所述源极漏极区域，其中，所述第一杂质具有比所述第二杂质更低的生成焓；以及在注入所述第二杂质之后，对所述源极漏极区域进行退火，其中，形成所述源极漏极区域包括：在所述半导体鳍中蚀刻凹槽；在所述凹槽中外延生长第一外延区域；在外延生长所述第一外延区域时，用第三杂质原位掺杂所述第一外延区域；在所述凹槽中和所述第一外延区域之上外延生长第二外延区域；以及在外延生长所述第二外延区域时，用第四杂质原位掺杂所述第二外延区域，其中，所述第三杂质是与所述第四杂质不同的元素。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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