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龙图腾网恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有掩埋偏置焊盘的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010644848.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有掩埋偏置焊盘的半导体器件是由吴健;韩峰;张帅设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有掩埋偏置焊盘的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及具有掩埋偏置焊盘的半导体器件。一种集成电路包括位于掩埋氧化物层内的偏置焊盘。半导体材料层位于掩埋氧化物层上方。半导体材料层包括用于晶体管的掺杂区域。层间电介质ILD材料覆盖半导体材料层和晶体管的栅极电极。该集成电路包括一个或多个偏置接触件，延伸穿过半导体材料层中的隔离区域内的ILD材料。偏置接触件电连接到第一偏置焊盘。隔离结构使一个或多个偏置接触件与半导体材料层内的晶体管的掺杂区域绝缘。一个或多个偏置接触件电连接到集成电路的互连结构，该互连结构被配置为将电压源连接到偏置焊盘。

本发明授权具有掩埋偏置焊盘的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：掩埋氧化物层，位于衬底上方；半导体材料层，位于所述掩埋氧化物层上方，该半导体材料层包括多个掺杂区域；晶体管，其中，所述晶体管包括栅极电极和所述多个掺杂区域；隔离区域，位于所述半导体材料层中；层间电介质ILD材料，位于所述半导体材料层和所述栅极电极上方；第一偏置接触件，延伸穿过所述ILD材料和所述隔离区域到达所述掩埋氧化物层；以及互连结构，通过所述第一偏置接触件电连接到所述掩埋氧化物层，其中，所述半导体器件还包括：第一偏置焊盘，位于所述掩埋氧化物层中，其中，所述第一偏置焊盘包括导电材料，所述第一偏置焊盘在垂直方向上位于所述晶体管和所述衬底之间，并且所述第一偏置焊盘在水平方向上对应于所述晶体管；以及第二偏置焊盘，位于所述掩埋氧化物层内，其中，所述第二偏置焊盘在垂直方向上位于第二晶体管和所述衬底之间，并且所述第二偏置焊盘在水平方向上对应于所述第二晶体管，所述第二偏置焊盘在所述掩埋氧化物层内通过深沟槽隔离结构DTI与所述第一偏置焊盘电隔离，其中，所述第二偏置焊盘通过第二偏置接触件电连接到所述半导体器件的互连结构。

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