恭喜华邦电子股份有限公司吴伯伦获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利电阻式随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010618203.2，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权电阻式随机存取存储器及其制造方法是由吴伯伦;许博砚设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：介电层、下电极、数据储存层、隔离结构、第一储氧层、第二储氧层以及上电极。下电极突出于介电层的顶面。数据储存层共形地覆盖下电极与介电层。隔离结构配置在下电极上。第一储氧层配置在隔离结构的第一侧处的数据储存层上。第二储氧层配置在隔离结构的第二侧处的数据储存层上。隔离结构分隔第一储氧层与第二储氧层。上电极配置在第一储氧层与第二储氧层上且被第一储氧层与第二储氧层共享。另提供一种电阻式随机存取存储器的制造方法。
本发明授权电阻式随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式随机存取存储器，包括：下电极，突出于介电层的顶面；数据储存层，共形地覆盖所述下电极与所述介电层；隔离结构，配置在所述下电极上，其中所述数据储存层夹置在所述隔离结构与所述下电极之间；第一储氧层，配置在所述隔离结构的第一侧处的所述数据储存层上；第二储氧层，配置在所述隔离结构的第二侧处的所述数据储存层上，其中所述隔离结构分隔所述第一储氧层与所述第二储氧层；以及上电极，配置在所述第一储氧层与所述第二储氧层上且被所述第一储氧层与所述第二储氧层共享。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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