恭喜华为技术有限公司许俊豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种铁电存储器及存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080101670.6，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种铁电存储器及存储设备是由许俊豪;卜思童;侯朝昭;张瑜;张燕燕设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电存储器及存储设备在说明书摘要公布了：一种铁电存储器，该铁电存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一电极1，第二电极2，第三电极3，铁电层4，以及层叠设置的第一半导体层10、第二半导体层20和第三半导体层30；其中，第一半导体层10和第二半导体层20之间形成PN结，第一半导体层10远离第二半导体层20的一侧设置有第一电极1，第三半导体层30远离第二半导体层20的一侧设置有第三电极3，铁电层4包围第三半导体层30的全部侧面或者部分侧面，第二电极2包围铁电层4。这样后续在向该存储单元读写数据时，可以降低铁电层4的极化对于第一半导体层10和第二半导体层20形成的PN结的影响，从而有利于提升该铁电存储器的耐久性。
本发明授权一种铁电存储器及存储设备在权利要求书中公布了：1.一种铁电存储器，其特征在于，所述铁电存储器包括至少一个存储单元，每个所述存储单元包括：第一电极，第二电极，第三电极，铁电层，以及层叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为N型半导体、另一个为P型半导体，所述第一半导体层远离所述第二半导体层的一侧设置有所述第一电极，所述第三半导体层远离所述第二半导体层的一侧设置有所述第三电极，所述铁电层包围所述第三半导体层的全部侧面或者部分侧面，所述第二电极包围所述铁电层。
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