恭喜天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司竹知和重获国家专利权
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龙图腾网恭喜天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司申请的专利薄膜器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010534466.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜器件是由竹知和重;田中淳;世良贤二;袁永设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜器件在说明书摘要公布了：一种薄膜器件包括多晶硅元件和氧化物半导体元件。所述多晶硅元件包括由低电阻多晶硅制成的第一部分。所述氧化物半导体元件包括由低电阻氧化物半导体制成的第二部分。所述第一部分和所述第二部分被设置为彼此重叠并且连接。
本发明授权薄膜器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜器件，包括：多晶硅元件；以及氧化物半导体元件，其中所述多晶硅元件包括由低电阻多晶硅制成的第一部分，其中所述氧化物半导体元件包括由低电阻氧化物半导体制成的第二部分，所述第一部分被包括在多晶硅膜中，所述第二部分被包括在氧化物半导体膜中，并且所述多晶硅膜和所述氧化物半导体膜被直接设置在公共绝缘层上，其中所述多晶硅元件是多晶硅薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体元件是氧化物半导体薄膜晶体管，其中所述第一部分被包括在所述多晶硅薄膜晶体管的源极漏极中，所述多晶硅薄膜晶体管的源极漏极的电阻低于所述多晶硅薄膜晶体管的沟道的电阻，其中所述第二部分被包括在所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极漏极中，所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极漏极的电阻低于所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道的电阻，并且其中所述第一部分和所述第二部分被设置为彼此重叠并且连接而没有通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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