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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种高可靠性LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010441088.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种高可靠性LED芯片及其制作方法是由陆绍坚;潘绮琳设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高可靠性LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；所述保护层包括依次设置的Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层，所述致密SiO2层包括若干周期高致密性SiO2层和低致密性SiO2层，高致密性SiO2层的薄膜致密性大于低致密性SiO2层的薄膜致密性。本发明的保护层通过Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层的相互配合，不仅防止透明导电层反射翘曲，还有效保护发光结构，提高芯片的可靠性。

本发明授权一种高可靠性LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性LED芯片，其特征在于，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；所述保护层包括依次设置的Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层，所述致密SiO2层包括若干周期高致密性SiO2层和低致密性SiO2层，高致密性SiO2层的薄膜致密性大于低致密性SiO2层的薄膜致密性；每个周期中高致密性SiO2层的厚度为300~600Å，低致密性SiO2层的厚度为100~400Å；所述致密SiO2层的制备方法包括：（1）在温度为260~310°C、压力为80~120Pa、RF功率为80~140W的条件下，通入气体SiH4、N2和N2O，比例为1：（50~60）：（70~80），沉积形成高致密性SiO2层；（2）在温度为260~310°C、压力为120~160Pa、RF功率为120~140W的条件下，通入气体SiH4、N2和N2O，比例为1：（105~115）：（135~145），沉积形成低致密性SiO2层；（3）重复步骤（1）和（2）若干次，形成致密SiO2层；完成步骤（1）后，在温度为260~310℃、压力为100~140Pa、RF功率为100~140W的条件下，通入气体N2O，形成N2O高能粒子，撞击高致密性SiO2层；完成步骤（2）后，在温度为260~310℃、压力为100~140Pa、RF功率为100~140W的条件下，通入气体N2O，形成N2O高能粒子，撞击低致密性SiO2层。

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