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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010221800.1，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻方法和等离子体处理装置是由后平拓;田所昌洋设计研发完成，并于2020-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为Ji，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为Mi、Ni，对于i可取的所有的值，对所有的Ji×NiMi求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为Jk，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为Hk，对于k可取的所有的值，对所有的Jk×Hk求和而得的值为Ub的情况下，使UaUb满足0.04＜UaUb＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。

本发明授权蚀刻方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种被加工物的蚀刻方法，其特征在于：在设置于等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置被加工物，进行将所述被加工物的温度维持在预先设定的温度范围内的设定，一边将所述被加工物的温度维持在所述温度范围内，一边在所述处理容器内生成处理气体的等离子体，并使用该等离子体对所述被加工物进行蚀刻处理，所述被加工物包含硅氧化物膜和硅氮化物膜，所述处理气体包含第1气体和第2气体，所述第1气体是氟碳气体，所述温度范围是-30℃以上30℃以下，所述第1气体包含p个种类的第1氟碳气体~第p氟碳气体，其中p为1以上的整数，所述第2气体包含q个种类的第1含氢气体~第q含氢气体，其中q为1以上的整数，令所述第1氟碳气体~第p氟碳气体所包含的第i氟碳气体在所述蚀刻处理的执行过程中的流量为J（i），该第i氟碳气体的元素组成所包含的氟原子的个数为M（i），该第i氟碳气体的元素组成所包含的碳原子的个数为N（i），对于i可取的所有的值，对所有的J（i）×N（i）M（i）求和而得的值为Ua，令所述第1含氢气体~第q含氢气体所包含的第k含氢气体在该蚀刻处理的执行过程中的流量为J（k），该第k含氢气体的元素组成所包含的氢原子的个数为H（k），对于k可取的所有的值，对所有的J（k）×H（k）求和而得的值为Ub的情况下，UaUb满足0.04＜UaUb＜0.22，其中i为1以上p以下的整数，k为1以上q以下的整数，所述第2气体是H2气体、CH4气体中的任一气体，或者H2气体和CH4气体的混合气体。

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