恭喜美光科技公司K·史密斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利确定存储器阵列的特征的叠加获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111799226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010093257.1,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权确定存储器阵列的特征的叠加是由K·史密斯;K·麦克劳克林;M·J·蒂奇诺;陈雪;L·A·格雷;J·G·林赛设计研发完成,并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本确定存储器阵列的特征的叠加在说明书摘要公布了:本发明描述与确定存储器阵列的特征的叠加相关的方法、设备及系统。实例方法包含:在工作表面上形成多个接触件;及选择性地形成与所述接触件接触的导电线层的第一部分及所述导电线层的第二部分。形成在所述工作表面上方的所述导电线层的所述第一部分通过间隙与形成在所述工作表面上方的所述导电线层的所述第二部分分离。所述方法包含确定在所述间隙中形成在所述工作表面上方的所述接触件中的至少一者相对于形成在所述工作表面上方的所述导电线中的一者的叠加。
本发明授权确定存储器阵列的特征的叠加在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器操作的方法,其包括:在工作表面上形成多个接触件;选择性地形成与所述多个接触件接触的导电线层的第一部分及所述导电线层的第二部分,其中形成在所述工作表面上方的所述导电线层的所述第一部分通过间隙与形成在所述工作表面上方的所述导电线层的所述第二部分分离,使得在所述间隙中所述导电线层不形成在所述工作表面上方;及确定在所述间隙中形成在所述工作表面上方的所述多个接触件中的至少一者相对于形成在所述工作表面上方的导电线中的一者的叠加。
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