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龙图腾网恭喜江阴长电先进封装有限公司申请的专利一种芯片的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911392580.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法是由任奎丽;陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明;张国栋设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其由上而下包括芯片10、硅通孔11、再布线层14、金属连接柱21和焊球24，将所述芯片10接受的信号向下传输；所述电极19下方的硅通孔11上下贯穿硅衬底12与再布线层14相固连，所述再布线层14的下方设置金属连接柱21，所述金属连接柱21的纵向剖面呈梯形状；所述包封料层20包封再布线层14和金属连接柱21，所述焊球24与金属连接柱21的下表面固连。本发明提供了一种既不增加硅片厚度，又能提高封装后芯片的机械强度的封装结构及封装方法。

本发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其由上而下包括芯片10、硅通孔11、再布线层14、金属连接柱21和焊球24，将所述芯片10接受的信号向下传输；所述芯片10包括硅衬底12、电极19和功能区，所述芯片厚度为50-150微米，所述电极19和功能区设置在硅衬底12的正面，所述再布线层14设置在芯片10的背面，所述电极19下方设有用于传输信号的若干个硅通孔11，所述硅通孔11上下贯穿硅衬底12与再布线层14相固连，所述再布线层14的下方设置金属连接柱21，所述金属连接柱21的纵向剖面呈梯形状；还包括直接覆盖于所述芯片的背面的包封料层20，所述包封料层20包封再布线层14和金属连接柱21，所述金属连接柱21的下表面与包封料层20的背面相齐平，并露出金属连接柱21的下表面，所述焊球24与金属连接柱21的下表面固连。

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