恭喜意法半导体(鲁塞)公司P·弗纳拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910813356.X，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路是由P·弗纳拉;F·马里内特设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路在说明书摘要公布了：一种集成电路包括存储器单元，该存储器单元包含反熔丝器件。该反熔丝器件包括状态晶体管，其具有控制栅级和被配置为浮置的第二栅极。选择性地断开控制栅级和第二栅极之间的介电层，以便在反熔丝器件上赋予击穿状态，其中第二栅极电耦合至控制栅级，用于存储第一逻辑状态。否则，反熔丝器件处于非被击穿状态，用于存储第二逻辑状态。
本发明授权包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括至少一个存储器单元，其中所述至少一个存储器单元包括：反熔丝器件，包括具有控制栅极和第二栅极的状态晶体管，其中所述第二栅极被配置为相对所述控制栅极处于浮置，以便在所述反熔丝器件上赋予非击穿状态，或者其中所述第二栅极被配置为电耦合至所述控制栅极，以便在所述反熔丝器件上赋予击穿状态；以及所述集成电路进一步包括存储器模块，所述存储器模块包括根据矩阵架构互连的多个所述存储器单元，其中每个存储器单元包括存取晶体管，所述存取晶体管被耦合在所述状态晶体管和由所有所述存储器单元共用的读取线之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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