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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利垂直半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111162089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910628158.6，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权垂直半导体装置是由李奉镕;金泰勋;裵敏敬;禹明勋设计研发完成，并于2019-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直半导体装置。所述垂直半导体装置可以包括多个沟道连接图案、下绝缘层、支撑层、堆叠结构和沟道结构。沟道连接图案可以接触基底。下绝缘层可以形成在沟道连接图案上。支撑层可以形成在下绝缘层上以与沟道连接图案间隔开。支撑层可以包括掺杂有杂质的多晶硅。堆叠结构可以形成在支撑层上，堆叠结构可以包括绝缘层和栅电极以形成存储器单元串。沟道结构可以穿过堆叠结构、支撑层和下绝缘层。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道可以接触沟道连接图案。电荷存储结构和沟道可以设置为面对栅电极和支撑层。支撑层可以作为GIDL栅极感应漏极泄漏晶体管的栅极。

本发明授权垂直半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个沟道连接图案，接触基底的上表面；下绝缘层，形成在所述多个沟道连接图案上并且在所述多个沟道连接图案之间的空间中；支撑层，形成在下绝缘层上以与所述多个沟道连接图案间隔开，支撑层包括掺杂有杂质的多晶硅；堆叠结构，形成在支撑层上，其中，在堆叠结构中堆叠有绝缘层和栅电极；以及沟道结构，穿过堆叠结构、支撑层和下绝缘层，并延伸到基底的上部，沟道结构包括电荷存储结构和沟道，其中，沟道结构形成在穿过堆叠结构、支撑层和下绝缘层并延伸到基底的上部的沟道孔中，其中，沟道具有圆柱形状，并且沟道的下部完全填充沟道孔的位于支撑层的上表面下方的下部，其中，沟道接触沟道连接图案，其中，电荷存储结构和沟道被设置为面对栅电极和支撑层，其中，沟道的下部被设置为面对支撑层和电荷存储结构，并且支撑层被构造为用作栅极感应漏极泄漏晶体管的栅极，并且其中，沟道结构还包括填充图案，填充图案形成在沟道上以仅填充沟道孔的位于支撑层的上表面上方的上部。

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