恭喜艾利迪公司蒂费纳·杜邦获国家专利权
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龙图腾网恭喜艾利迪公司申请的专利包括二极管阵列的光电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112292764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980041716.7，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权包括二极管阵列的光电子器件是由蒂费纳·杜邦;伊万-克里斯多夫·罗宾设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括二极管阵列的光电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电子器件，其包括轴向二极管100的矩阵200，每个二极管形成谐振腔，在该谐振腔中形成有定态电磁驻波，每个发光二极管包括基本上位于电磁波的极值110水平上的有源区域104，该矩阵形成光子晶体，所述光子晶体被配置为最大化由该二极管阵列提供的电磁辐射的强度。
本发明授权包括二极管阵列的光电子器件在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件，包括轴向二极管100的阵列200，每个二极管形成谐振腔，在所述谐振腔中形成有电磁驻波，每个发光二极管包括基本上位于所述电磁驻波的极值110水平上的有源区域104，所述阵列形成光子晶体，所述光子晶体被配置为最大化由所述二极管阵列提供的电磁辐射的强度，其中所述阵列200包括上面搁置所述二极管100的支撑件105、310，每个二极管包括搁置在所述支撑件上的第一半导体区域102、与所述第一半导体区域接触的所述有源区域104以及与所述有源区域接触的第二半导体区域106的堆叠，所述器件包括位于所述支撑件105、310与所述二极管的所述第一半导体区域102之间的接合到所述支撑件的反射层107、308。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人艾利迪公司，其通讯地址为：法国埃希罗莱；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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