买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种低损耗耦合电容器的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010639643.6，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种低损耗耦合电容器的装置和方法是由布莱恩·克瑞德;劳伦斯·科内尔;肯特·耶格;马修·理查德·米勒设计研发完成，并于2016-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗耦合电容器的装置和方法在说明书摘要公布了：一种低损耗耦合电容器结构，包括n型变容二极管NVAR构造100和p型变容二极管PVAR构造200。所述NVAR构造100中的结构包括掺杂p型半导体基板Psub106、所述Psub106中的深度掺杂n型半导体阱DNW105和所述DNW中的掺杂p型半导体阱P阱104。所述电路结构还包括P阱104内的掺杂p型半导体材料的源极端子102和所述P阱104中的所述掺杂p型半导体材料的漏极端子101。此外，所述电路结构包括在所述P阱104的表面上的绝缘栅极103，包含多层金属线107的金属图案，以及通过所述金属线107的多个通孔108。所述通孔108为将所述金属线107连接到所述栅极103、所述源极端子102和所述漏极端子101的接点。

本发明授权一种低损耗耦合电容器的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种耦合电容器的电路结构，其特征在于，包括：掺杂p型半导体基板Psub；所述Psub中的深度掺杂n型半导体阱DNW；所述DNW中的P阱，所述P阱为掺杂p型半导体阱；从所述P阱的表面延伸到所述P阱中的掺杂p型半导体材料的第一块，其中所述第一块为源极端子；从所述P阱的所述表面延伸到所述P阱中的所述掺杂p型半导体材料的第二块，其中所述第二块为漏极端子；在所述源极端子和所述漏极端子之间的P阱上的绝缘体块；在所述源极端子和所述漏极端子之间的所述绝缘体块上的导体材料，其中所述导体材料为栅极；包括近似平行于所述表面的多层金属线的金属图案，以及穿过所述金属线且垂直于所述金属线的多个通孔，其中所述通孔将所述金属线连接到所述栅极、所述源极端子和所述漏极端子；其中，所述金属图案的第一层中的金属线大致平行于第一方向，并且与第一层相邻的第二层中的金属线大致平行于第二方向，并且所述第一方向大致垂直于所述第二方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。