恭喜意法半导体(鲁塞)公司R·西莫拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利具有可调整击穿电压的齐纳二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111599871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010455022.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有可调整击穿电压的齐纳二极管是由R·西莫拉;P·弗纳拉设计研发完成，并于2015-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有可调整击穿电压的齐纳二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及具有可调整击穿电压的齐纳二极管。本发明涉及一种齐纳二极管，包括：形成在半导体衬底SUB中并且平行于在阴极区域CD1与阳极区域AD1之间的衬底的表面的齐纳二极管结、被配置成在受到适当的电压时生成垂直于齐纳二极管结的第一电场的传导区域BDC，EDC，ED1，NW、以及被配置成在受到适当的电压时生成在齐纳二极管结的平面中的第二电场的传导区域GT1，GTC。
本发明授权具有可调整击穿电压的齐纳二极管在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括：半导体衬底，具有第一表面；阳极区域，形成在所述衬底中，所述阳极区域具有第一导电类型；阴极区域，形成在所述衬底中并且从所述第一表面延伸到所述衬底中，所述阴极区域具有第二导电类型；齐纳二极管结，在所述阳极区域与所述阴极区域之间；栅极，从所述第一表面延伸到所述衬底中；以及栅极介电层，在所述齐纳二极管结与所述栅极之间，所述栅极介电层与所述阳极区域和所述阴极区域的侧表面抵接接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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