买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜亿芯微半导体科技(深圳)有限公司申请的专利一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510281293.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质是由周永强;罗旺宝;张仁福;刘伯阳;王家清设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及数据处理的技术领域，提供了一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质，包括获取半导体刻蚀工艺在刻蚀过程中的实时数据并进行预处理，得到清洗后的数据集后提取出关键特征生成刻蚀状态权重矩阵，对刻蚀腔室的气压分布参数进行优化调整，得到气压设定值；获取刻蚀腔室的温度分布数据，对气压设定值和温度分布数据进行计算，得到射频功率设定值；利用射频功率设定值和气压设定值对半导体刻蚀工艺参数进行优化。通过实时数据的采集和处理，得到射频功率设定值和气压设定值并应用，提升刻蚀工艺的整体性能，改善在工艺复杂性和实时性要求较高时，存在着效率低、精度不足和适应性差的问题。

本发明授权一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀工艺参数优化方法，其特征在于，包括：获取半导体刻蚀工艺在刻蚀过程中的实时数据，对所述实时数据进行预处理，得到清洗后的数据集；基于所述清洗后的数据集提取出影响刻蚀效果的关键特征，将所述关键特征输入预设的预测模型，得到刻蚀残余厚度预测值、刻蚀侧壁角度预测值以及刻蚀速率偏差预测值；根据所述刻蚀残余厚度预测值、所述刻蚀侧壁角度预测值以及所述刻蚀速率偏差预测值生成刻蚀状态权重矩阵，基于所述刻蚀状态权重矩阵对刻蚀腔室的气压分布参数进行优化调整，得到气压设定值；获取刻蚀腔室的温度分布数据，对所述气压设定值和所述温度分布数据进行计算，得到刻蚀均匀性修正参数，基于所述刻蚀均匀性修正参数调整射频功率分布，得到射频功率设定值；利用射频功率设定值和所述气压设定值对半导体刻蚀工艺参数进行优化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人亿芯微半导体科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道金沙社区临惠路21号中城生物医药产业园2栋5C；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。