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龙图腾网恭喜四川大学申请的专利适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510277405.8，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构及控制方法是由刘思语;周述晗;贺明智;官媛媛;张执钦设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构及控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于直流变电技术领域，提出了适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构及控制方法，控制结构包括：多电平H桥模块、变压器模块、二极管整流模块、滤波电感电容模块和控制模块；控制方法包括：过控制模块获取第一分压电容和第二分压电容的电压差值，以及输出阻性负载的输出电压与参考电压的差值；通过第一分压电容和第二分压电容的电压差值得到控制电容均压的占空比；通过输出阻性负载的输出电压与参考电压的差值得到控制输出电压大小的占空比；控制输出电压大小的占空比与控制电容均压的占空比叠加得到多电平H桥模块的方波信号。本发明适用于大电压等级的电源系统，并且提高了全负载范围内的效率。

本发明授权适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构及控制方法在权利要求书中公布了：1.适用于高压输入的高效率半桥变换器控制结构，其特征在于，包括：多电平H桥模块、变压器模块、二极管整流模块、滤波电感电容模块和控制模块；所述多电平H桥模块的电压输入端用于连接输入电压，采集信号输出端连接控制模块的第一采集信号输入端，控制信号输入端连接控制模块的信号输出端，电压输出端连接变压器模块的原边输入端，变压器模块的副边输出端通过二极管整流模块连接滤波电感电容模块后得到变换器的输出电压，控制模块的第二采集信号输入端连接参考电压和变换器的输出电压；当多电平H桥模块为三电平H桥模块时，所述多电平H桥模块包括：上桥臂、下桥臂以及分压电容结构；所述分压电容结构包括第一分压电容和第二分压电容，第一分压电容的正极端与直流电压源的正极端相连，负极端与第二分压电容的正极端相连，第二分压电容的负极端与直流电压源的负极端相连；所述上桥臂包括第一钳位二极管、第一半导体场效应管、第一反并联二极管、第一寄生电容、第二半导体场效应管、第二反并联二极管和第二寄生电容，所述下桥臂包括第二钳位二极管、第三半导体场效应管、第三反并联二极管、第三寄生电容、第四半导体场效应管、第四反并联二极管和第四寄生电容；所述第一钳位二极管的阳极与第一分压电容的负极端相连，阴极与第一半导体场效应管的漏极相连，第一反并联二极管的阳极与第一半导体场效应管的漏极相连，阴极与第一半导体场效应管的源极相连，第一寄生电容的正极与第一半导体场效应管的源极相连，负极与第一半导体场效应管的漏极相连，第二反并联二极管的阳极与第二半导体场效应管的漏极相连，阴极与第二半导体场效应管的源极相连，第二寄生电容的正极与第二半导体场效应管的源极相连，负极与第二半导体场效应管的漏极相连；所述第二钳位二极管的阴极与第二分压电容的正极端相连，阳极与第三半导体场效应管的漏极相连，第三反并联二极管的阳极与第三半导体场效应管的漏极相连，阴极与第三半导体场效应管的源极相连，第三寄生电容的正极与第三半导体场效应管的源极相连，负极与第三半导体场效应管的漏极相连，第四反并联二极管的阳极与第四半导体场效应管的漏极相连，阴极与第四半导体场效应管的源极相连，第四寄生电容的正极与第四半导体场效应管的源极相连，负极与第四半导体场效应管的漏极相连；所述变压器模块包括变压器漏电感、变压器励磁电感、变压器原边绕组、变压器副边绕组；所述变压器漏电感的正极与第二半导体场效应管的漏极相连，负极与变压器原边绕组的正极相连，变压器励磁电感的正极与变压器原边绕组的正极相连，负极与变压器原边绕组的负极相连，变压器副边绕组与二极管整流模块相连；所述二极管整流模块包含第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述滤波电感电容模块包括第一耦合电感、第二耦合电感和滤波电容；所述第一二极管的阳极与变压器副边绕组的正极端相连，阴极与第一耦合电感的正极端相连，第二二极管的阳极与变压器副边绕组的负极端相连，阴极与第一耦合电感的负极端相连，第三二极管的阳极与第二耦合电感的负极端相连，阴极与变压器副边绕组的正极端相连，第四二极管的阳极与第二耦合电感的正极端相连，阴极与变压器副边绕组的负极端相连；所述滤波电容的正极与第二二极管的阴极相连，负极与第四二极管的阳极相连，所述滤波电容的正极用于连接输出阻性负载的输入端，负极用于连接输出阻性负载的输出端。

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