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龙图腾网恭喜湖南汇成鑫科技有限公司申请的专利一种基于光学-磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510277167.0，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权一种基于光学-磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法是由朱以锐;蒋金刚;邓薇;黄宁;尹纯;连彦秋设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光学-磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及缺陷检测技术领域，尤其涉及一种基于光学‑磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法，包括如下步骤：S1：基于脉冲式电流驱动的同步激发与数据采集；S2：跨模态空间标定与噪声抑制；S3：偏振‑磁场耦合特征提取；S4：动态关联决策与闭环反馈，包括通过多模态数据的关联分析，实现缺陷的分级判定，通过电流过载测试，验证缺陷的真实性。本方法有效解决了现有技术中存在的环境光干扰、漏检、高成本、低分辨率等问题，具有显著的有益效果，能够提高检测准确性、效率和可靠性，满足大规模生产线的需求，并且能够高效定位和减少检测过程中的错误和冗余步骤。

本发明授权一种基于光学-磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光学-磁学多模态融合的OLED屏幕缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：基于脉冲式电流驱动的同步激发与数据采集，包括对OLED屏幕进行瞬态电流激励，覆盖1-10MHz的瞬态响应频率范围，并通过构建双通道光学成像，检测屏幕表面的应变变化和屏幕内部的透射率变化，通过磁学检测系统检测屏幕内部的磁场梯度变化；S2：跨模态空间标定与噪声抑制，包括通过动态掩膜生成算法提取磁学电流密度图中的高梯度区域，聚焦于缺陷区域；通过光学噪声滤除，剔除包括环境光和屏幕自发光的噪声，保留与缺陷相关的光学信号；S3：偏振-磁场耦合特征提取，包括通过偏振干涉条纹的小波变换，量化裂纹深度，区分表面划痕与内部裂纹；通过时间导数和磁场相位滞后，区分表面脏污与内部裂纹；S4：动态关联决策与闭环反馈，包括通过多模态数据的关联分析，实现缺陷的分级判定，通过电流过载测试，验证缺陷的真实性。

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