恭喜株洲宏达恒芯电子有限公司王慧卉获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲宏达恒芯电子有限公司申请的专利一种高性能单层瓷介电容器材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119735437B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510254689.9，技术领域涉及：C04B35/468；该发明授权一种高性能单层瓷介电容器材料及制备方法是由王慧卉;赵海飞设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能单层瓷介电容器材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电容器材料领域，提供了提供一种高性能单层瓷介电容器材料及其制备方法。所述材料包含表面改性氧化锆晶须、钛酸锶纳米带、钛酸钡纳米颗粒、硝酸钡、钛酸四异丙酯、四甲基氢氧化铵、聚丙烯酸铵、氧化镧、氧化铌、二氧化锰、纳米二氧化硅及乙醇‑水混合溶液。氧化锆晶须经KH‑550硅烷偶联剂改性，提高增强相的分散性及界面结合力。钛酸锶纳米带的引入优化钛酸钡钛酸锶相干界面，提高材料的介电性能及机械强度。采用超声分散、球磨混合、掺杂流延成型及梯度烧结工艺，使材料实现高致密度、低介电损耗及优异的温度稳定性。本发明克服现有单层瓷介电容器材料在介电性能和机械强度上的不足，适用于高可靠性电子元器件制造领域。
本发明授权一种高性能单层瓷介电容器材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能单层瓷介电容器材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料：表面改性氧化锆晶须8.0~12.0份，钛酸锶纳米带10.0~18.0份，钛酸钡纳米颗粒60.0~75.0份，硝酸钡5.0~8.0份，钛酸四异丙酯4.0~6.0份，四甲基氢氧化铵2.0~4.0份，聚丙烯酸铵0.3~0.8份，氧化镧1.0~2.0份，氧化铌0.5~1.2份，二氧化锰0.1~0.5份，纳米二氧化硅0.3~0.8份，乙醇和水混合溶液100.0份；所述的表面改性氧化锆晶须为氧化锆晶须经硅烷偶联剂KH-550表面改性获得；所述的单层瓷介电容器材料包含钛酸钡钛酸锶相干界面。
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