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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种SRAM建立保持时间测试电路结构和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510228077.2，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种SRAM建立保持时间测试电路结构和系统是由徐峻青;宋张涛;陈先敏设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SRAM建立保持时间测试电路结构和系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SRAM建立保持时间测试电路结构和系统，该结构包括同步电路、第一延迟电路、第二延迟电路、第三延迟电路和测试控制电路；同步电路包括时钟信号输入端、测试信号切换输入端、时钟信号输出端、地址信号输出端和数据信号输出端；第一延迟电路包括第一控制端、时钟信号延迟输入端和时钟信号延迟输出端；第二延迟电路包括地址信号延迟输入端、第一选择输入端和地址信号延迟输出端；第三延迟电路包括数据信号延迟输入端、第二选择输入端和数据信号延迟输出端。同步时钟信号、同步地址信号和同步数据信号同源，可以明显减小因延迟同步处理导致获取的SRAM建立保持时间存在误差的问题。

本发明授权一种SRAM建立保持时间测试电路结构和系统在权利要求书中公布了：1.一种SRAM建立保持时间测试电路结构，其特征在于，包括同步电路、第一延迟电路、第二延迟电路、第三延迟电路和测试控制电路；所述同步电路包括时钟信号输入端、测试信号切换输入端、时钟信号输出端、地址信号输出端和数据信号输出端；所述时钟信号输入端用于输入初始时钟信号；所述测试信号切换输入端用于切换被测试信号的方向；所述同步电路用于将所述初始时钟信号转换为同步时钟信号、同步地址信号和同步数据信号；所述第一延迟电路包括第一控制端、时钟信号延迟输入端和时钟信号延迟输出端；所述第一控制端用于输入第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述第一延迟电路的延迟时间；所述时钟信号延迟输入端与所述时钟信号输出端连接；所述时钟信号延迟输出端用于连接SRAM的时钟输入端；所述第一延迟电路用于对所述同步时钟信号进行延迟；所述第二延迟电路包括地址信号延迟输入端、第一选择输入端和地址信号延迟输出端；所述地址信号延迟输入端与所述地址信号输出端连接；所述地址信号延迟输出端用于连接SRAM的地址输入端；所述第二延迟电路用于对所述同步地址信号进行延迟；所述第三延迟电路包括数据信号延迟输入端、第二选择输入端和数据信号延迟输出端；所述数据信号延迟输入端与所述数据信号输出端连接；所述数据信号延迟输出端用于连接SRAM的数据输入端；所述第三延迟电路用于对所述同步数据信号进行延迟；所述测试控制电路包括测试端口切换输入端、第二控制端、第一输出端和第二输出端；所述测试端口切换输入端用于切换被测试的SRAM的端口；所述第二控制端用于输入第二控制信号，所述第二控制信号用于控制所述第二延迟电路和所述第三延迟电路的延迟时间；所述第一输出端与所述第一选择输入端连接；所述第二输出端与所述第二选择输入端连接；所述测试控制电路用于切换被测试的SRAM的端口以及所述第二延迟电路和所述第三延迟电路的延迟时间。

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