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龙图腾网恭喜华南师范大学申请的专利涡旋光发射装置及其制作方法、控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510185368.8，技术领域涉及：H04B10/70；该发明授权涡旋光发射装置及其制作方法、控制方法是由张准;李煌设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本涡旋光发射装置及其制作方法、控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种涡旋光发射装置及其制作方法、控制方法，其中，所述涡旋光发射装置包括背地金属片、环形金属片、若干个变容二极管以及无磁性介质，所述环形金属片设置在所述背地金属片上方，所述变容二极管设置在所述环形金属片以及所述背地金属片之间，并沿所述环形金属片均匀设置，所述无磁性介质填充于所述环形金属片以及所述背地金属片之间以形成介质层，各个所述变容二极管的正极通过所述环形金属片接入外部电压源的正极，各个所述变容二极管的负极通过所述背地金属片接入外部电压源的负极。由此，本申请中的所述涡旋光发射装置结构简单、成本低廉且易于实施，同时还可以用于实现不同辐射阶次的OAM波调节及发射，有效地提高了通信效率。

本发明授权涡旋光发射装置及其制作方法、控制方法在权利要求书中公布了：1.一种涡旋光发射装置，其特征在于，包括背地金属片、环形金属片、若干个变容二极管以及无磁性介质，所述环形金属片设置在所述背地金属片上方，所述变容二极管设置在所述环形金属片以及所述背地金属片之间，并沿所述环形金属片均匀设置，所述无磁性介质填充于所述环形金属片以及所述背地金属片之间以形成介质层；各个所述变容二极管的正极通过所述环形金属片接入外部电压源的正极，各个所述变容二极管的负极通过所述背地金属片接入外部电压源的负极，其中，所述外部电压源用于提供一直流偏置电压；所述变容二极管设置在所述环形金属片以及所述背地金属片之间时的等效相对介电常数为第一预设值，且所述等效相对介电常数为所述第一预设值时，所述变容二极管在所述直流偏置电压下等效为静态光栅；通过所述外部电压源向所述涡旋光发射装置提供所述直流偏置电压；通过对各个所述变容二极管进行单独的电路通断控制来调节所述变容二极管的工作数量，使所述涡旋光发射装置发出相应辐射阶次的OAM波。

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