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龙图腾网恭喜湖南星硕传感科技有限公司申请的专利一种芯片厚膜微覆方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119612440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510170152.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种芯片厚膜微覆方法是由艾亮东;祝文科;张谊;豆亚稳;张秦哲;熊代胜;艾文轩;艾滔设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片厚膜微覆方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片厚膜微覆方法，该方法包括以下步骤：S1、将气体敏感材料、有机溶剂和粘接剂混合后，制得混合液；S2、将混合液微覆至芯片电极表面后固化；所述气体敏感材料包括二氧化锡和贵金属盐；所述粘接剂包括有机酸和醇中的至少一种；所述微覆的厚度为8μm~12μm；所述微覆的压力为0.1MPa~0.5MPa。本申请中粘接剂为有机酸和醇，既能实现对气体敏感材料的粘接，又能使气体敏感材料与粘接剂和有机溶剂形成的混合液具有优异的流动性和稳定性，使得气体敏感材料均匀的分散在混合液中；在后续的烧结过程中，粘接剂和有机溶剂从混合液体系中脱除，从而将气体敏感材料均匀的涂覆在芯片电极的表面，从而实现厚膜微覆。

本发明授权一种芯片厚膜微覆方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片厚膜微覆方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将气体敏感材料、有机溶剂和粘接剂混合后，制得混合液；S2、将混合液微覆至芯片电极表面后固化；所述气体敏感材料包括二氧化锡和贵金属盐；所述粘接剂包括有机酸和醇中的至少一种；所述微覆的厚度为8μm~12μm；所述微覆的压力为0.1MPa~0.5MPa；所述贵金属盐为二氯四氨钯；所述有机酸为甲酸、乙酸、丙酸和丁酸中的至少一种；所述醇为一元醇、二元醇和三元醇中的至少一种；所述一元醇为甲醇、乙醇、丙醇和丁醇中的至少一种；所述二元醇为乙二醇和丙二醇中的至少一种；所述三元醇为丙三醇；所述混合液中还加入氨基酸和有机膦酸；所述氨基酸包括半胱氨酸；所述有机膦酸包括氨甲基膦酸。

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