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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种二维Te/ReSe₂变角度异质结光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510112402.9，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种二维Te/ReSe₂变角度异质结光电探测器及其制备方法和应用是由郑照强;蒲作城;全华文;招瑜设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维Te/ReSe₂变角度异质结光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种二维TeReSe2变角度异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。所述二维TeReSe2变角度异质结光电探测器由下至上依次为SiSiO2衬底、Te层和ReSe2层，其中，所述ReSe2层与所述Te层形成不同角度的范德华异质结。本发明通过CVD方法、PMMA湿法转移、PVA干法转移、光刻镀金、高温退火处理等方法，实现光电探测器功能的定制化，获得具有丰富偏振特性的多角度异质结器件。基于器件不同的偏振敏感特性可实现入射光的偏振光方向和强度的同时检测、加密解密以及偏振成像的功能。

本发明授权一种二维Te/ReSe₂变角度异质结光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二维TeReSe2变角度异质结光电探测器，其特征在于，由下至上依次为SiSiO2衬底、Te层和ReSe2层，其中，所述ReSe2层与所述Te层形成不同角度的范德华异质结；所述二维TeReSe2变角度异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相沉积法，在云母衬底上生长Te材料，然后通过聚甲基丙烯酸甲酯湿法转移法将Te材料转移到SiSiO2衬底上；采用机械剥离法将ReSe2材料黏附到另外一个SiSiO2衬底上，然后采用聚乙烯醇干法转移法将黏附在SiSiO2衬底上的ReSe2材料按照不同角度和顺序转移到含有Te材料的SiSiO2衬底上，制备得到具有不同接触角度的TeReSe2异质结结构；通过无掩膜光刻和显影，在含有TeReSe2异质结结构的SiSiO2衬底上制备所需的电极图案，然后在所得电极图案掩膜上蒸镀金属，形成电极；用丙酮去除掉光刻胶，真空高温退火，获得具有不同接触角度的TeReSe2器件，即二维TeReSe2变角度异质结光电探测器。

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