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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利一种MOSFET元胞结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105788.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种MOSFET元胞结构及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET元胞结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET元胞结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括N型衬底；位于衬底表面的N型外延层；位于外延层表面的第一JFET区与第二JFET区以及P型屏蔽层，P型屏蔽层与第一JFET区、第二JFET区的交界面设置为倾斜结构；位于第一JFET区顶部的第一栅氧层与第一栅极多晶硅层，位于第二JFET区顶部的第二栅氧层与第二栅极多晶硅层；位于第一栅氧层与第二栅氧层底部拐角处的电流通道拓展层；位于第一栅氧层与第二栅氧层侧边的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。本申请具有减少沟槽栅拐角位置氧化层承受的电应力，降低栅氧失效概率，以及大幅提高器件可靠性与鲁棒性的优点。

本发明授权一种MOSFET元胞结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET元胞结构，其特征在于，所述MOSFET元胞结构包括：N型衬底；位于所述衬底表面的N型外延层；位于所述外延层表面的第一JFET区与第二JFET区以及P型屏蔽层，所述第一JFET区与所述第二JFET区间隔设置，所述第一JFET区与所述第二JFET区均为N型；所述P型屏蔽层与所述第一JFET区、所述第二JFET区的交界面设置为倾斜结构；位于所述第一JFET区顶部的第一栅氧层与第一栅极多晶硅层，所述第一栅氧层包裹所述第一栅极多晶硅层设置；位于所述第二JFET区顶部的第二栅氧层与第二栅极多晶硅层，所述第二栅氧层包裹所述第二栅极多晶硅层设置；位于所述第一栅氧层与所述第二栅氧层底部拐角处的电流通道拓展层，其中，部分所述电流通道拓展层位于所述第一JFET区与第二JFET区的表面，另一部分所述电流通道拓展层位于所述第一栅氧层的侧壁，电流通道拓展层为N型掺杂；位于所述第一栅氧层与所述第二栅氧层侧边的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区沿远离衬底的方向逐层设置并形成整体，所述整体的一侧与所述第一栅氧层或第二栅氧层接触，所述整体的另一侧与所述第四掺杂区接触，所述第四掺杂区的厚度大于或等于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区的厚度之和，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区为N型，所述第二掺杂区与所述第四掺杂区为P型；位于所述第一栅极多晶硅层、所述第一栅氧层以及部分所述第三掺杂区表面的第一介质层，位于所述第二栅极多晶硅层、所述第二栅氧层以及部分所述第三掺杂区表面的第二介质层；位于表面的第一金属层以及位于所述衬底背面的第二金属层。

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