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龙图腾网恭喜无锡新洁能股份有限公司申请的专利一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411857388.7，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法是由朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏;李宗清设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法。本发明包括N型衬底上的N型外延层，背面设有漏极金属，结构分为M1器件区域、M2器件区域及隔离区，N外延层内排列P型柱，并在其上方设置P型体区，连接不同掺杂的N型和P型源极；M2器件区域设有阈值调整区，器件表面覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；介质层分别分布在各区域，M1源极金属和M2源极金属与P型体区的源极相连；隔离区配置二极管，阳极金属与N型源极连接，阴极金属与P型源极连接，或设置第二栅极多晶硅，分别与重掺杂的N型和P型多晶硅及阴阳极金属连接。本发明降低了电路拓扑的损耗，提高系统效率和集成度。

本发明授权一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式高压半导体器件结构，其特征在于，包括M1器件区域、M2器件区域以及设置于所述M1器件区域和所述M2器件区域之间的隔离区域；所述半导体器件结构包括：N型衬底；N型外延层，设置于所述N型衬底表面；漏极金属，设置于所述N型衬底背面；P型柱，间隔设置于所述N型外延层内，包括位于所述M1器件区域和所述M2器件区域内的第一P型柱，以及位于所述隔离区域内的第二P型柱；P型体区，设置所述N型外延层内且位于各所述P型柱上方，所述P型体区与其下方的一个或多个所述P型柱相连；所述P型体区包括位于所述M1器件区域和所述M2器件区域内的第一P型体区，以及位于所述隔离区域内的第二P型体区；其中，所述第一P型体区内设置有第一重掺杂N型源极和第一重掺杂P型源极，所述第一重掺杂N型源极位于所述第一重掺杂P型源极两侧；阈值调整区，位于所述M2器件区域内的所述N型外延层表面；栅氧化层，设置于所述N型外延层表面；第一栅极多晶硅，设置于位于所述M1器件区域和所述M2器件区域内的所述栅氧化层表面；介质层，设置于所述N型外延层表面，包括位于所述M1器件区域和所述M2器件区域内的第一介质层，以及位于所述隔离区域内的第二介质层；M1源极金属和M2源极金属，分别对应位于所述M1器件区域和所述M2器件区域内的所述第一介质层表面，其中，所述M1源极金属与所述M1器件区域中的每一个所述第一P型体区中的所述第一重掺杂N型源极和所述第一重掺杂P型源极相连，所述M1源极金属与所述M2器件区域中的每一个所述第一P型体区中的所述第一重掺杂N型源极和所述第一重掺杂P型源极相连；在所述M2器件区域内形成耗尽型超结功率MOSFET器件；二极管器件，包括阳极金属和阴极金属，均位于所述第二介质层表面；其中，所述第二P型体区内分别设置有第二重掺杂N型源极和第二重掺杂P型源极，所述阳极金属与所述第二重掺杂N型源极相连，所述阴极金属与所述第二重掺杂P型源极相连；或者，在所述第二介质层中设置有第二栅极多晶硅，所述第二栅极多晶硅的两侧分别设置有重掺杂N型多晶硅和重掺杂P型多晶硅，所述重掺杂N型多晶硅与所述阴极金属相连，所述重掺杂P型多晶硅与所述阳极金属相连。

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