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龙图腾网恭喜同济大学申请的专利一种氧化铪复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310306522.3，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种氧化铪复合薄膜及其制备方法是由焦宏飞;钮信尚;汲小川;张锦龙;马彬;程鑫彬;王占山设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化铪复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜光学技术领域，尤其是涉及一种氧化铪复合薄膜及其制备方法。本发明旨在解决离子束辅助沉积工艺制备的氧化铪薄膜因易结晶、表面空洞缺陷密集而导致的粗糙度较大的问题，以及离子束轰击引起的薄膜吸收较大的问题。本发明在传统制备的纯氧化铪薄膜制备中插入薄层的氧化硅薄膜，将厚层氧化铪拆分隔离为数层纳米薄层，一方面可以有效抑制氧化铪薄膜的结晶，减少薄膜表面的孔洞缺陷，从而降低薄膜粗糙度；另一方面，部分含量氧化硅的引入也会降低氧化铪薄膜的吸收。与现有技术相比，本发明可以有效降低离子束辅助沉积工艺制备氧化铪薄膜表面粗糙度和吸收，同时制作成本低，易于推广，在超高精度激光测量领域具有广泛的应用前景。

本发明授权一种氧化铪复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化铪复合薄膜，其特征在于，所述氧化铪复合薄膜由若干层HfO2纳米膜和若干层SiO2纳米膜组成，相邻HfO2纳米膜之间设置有SiO2纳米膜，氧化铪复合薄膜的厚度为d；其中，规定数值B＝d25，数值N＝[d25]；若N＜B≤N+0.8，则镀膜膜系为：S|80nHλH20nLλL^N4nHd-25NλH|A,若N+0.8＜B≤N+1，则镀膜膜系为：S|80nHλH20nLλL^N80nHλH4nLd-25N-20λL|A；其中，S表示基底，A表示空气，H表示光学厚度为λ4的HfO2纳米膜，L表示光学厚度为λ4的SiO2纳米膜；λ为各膜层所处膜系的中心波长；氧化铪复合薄膜的制备包括以下步骤：利用离子束辅助沉积工艺在基板上依次沉积HfO2纳米膜和SiO2纳米膜；HfO2纳米膜的厚度低于20nm，SiO2纳米膜的厚度低于5nm；所述氧化铪复合薄膜表面粗糙度为0.127nm，无衍射峰，薄膜非晶，弱吸收为9ppm；其中，所述基板为表面粗糙度小于0.3nm的超抛石英基板；离子束辅助沉积工艺过程中，沉积HfO2纳米膜时，氧分压为1.8×10-2Pa；沉积SiO2纳米膜时，氧分压为1.5×10-2Pa；离子束辅助沉积工艺过程中，基板温度为100-150℃；离子束辅助沉积工艺过程中，蒸发速率为1nms；离子束辅助沉积工艺过程中，离子源电压为900V；离子束辅助沉积工艺过程中，离子源电流为1000mA。

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