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龙图腾网恭喜北京天科合达半导体股份有限公司申请的专利一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116024664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211663903.9，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法是由刘春俊;眭旭;郭钰;彭同华;杨建设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不大于‑1微米，且满足Y＝‑AX，其中，X为厚度，Y为弯曲度bow值，A为300～8000，warp值不大于bow值绝对值的3倍。与现有技术相比，本发明一方面可提供更薄厚度的衬底，从而增加同等厚度SiC晶体产出晶片的数量，降低成本；另一方面，通过特定的几何外形及结晶的原子面弯曲保证下游外延、器件对晶片制作过程中的要求；第三方面提供低厚度衬底同时外形翘曲变化可以满足整个产业链的要求，也极大降低器件环节的减薄成本。

本发明授权一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，包括：S1）将碳化硅晶体通过切割或剥离得到碳化硅晶片；S2）将所述碳化硅晶片进行退火处理，得到退火处理后的晶片；S3）采用凸形吸盘吸附退火处理后的晶片的第二表面，然后对退火处理后的晶片的第一表面进行单面研磨，得到单面研磨的晶片；S4）将所述单面研磨的晶片进行退火处理，得到单面处理的晶片；S5）采用表面平整的吸盘吸附单面处理的晶片的第一表面，然后对单面处理的晶片的第二表面进行研磨，得到研磨的晶片；S6）将所述研磨的晶片进行退火处理，得到双面处理的晶片；S7）将所述双面处理的晶片的第一表面进行化学机械抛光，得到大尺寸碳化硅衬底；所述碳化硅衬底的弯曲度bow值不大于-1微米，且满足Y=-AX，其中，X为厚度，Y为弯曲度bow值，warp值不大于bow值绝对值的3倍；所述碳化硅衬底的尺寸为6英寸，碳化硅衬底的厚度小于300微米，A为300~4000；或者，所述碳化硅衬底的尺寸为8英寸，碳化硅衬底的厚度小于400微米，A为400~8000；所述步骤S2）、步骤S4）与步骤S6）中退火处理的温度各自独立地为1000℃~1500℃；所述步骤S2）、步骤S4）与步骤S6）中退火处理的升温段的时间各自独立地为1.5~2.5h，高温段保持的时间各自独立地为4~6h；所述步骤S3）中凸形吸盘的中心凸出5~40μm，且所述凸形吸盘的直径大于碳化硅晶片的直径；所述吸附的真空压为-20~-120kPa。

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