恭喜北京工业大学曹银花获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京工业大学申请的专利一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210715111.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法是由曹银花;宗梦雅;王智勇;代京京设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法包括：VCSEL内腔层和第一液晶外腔层；VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构，VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元；第一液晶外腔层紧贴于VCSEL内腔层的出光区表面作为反射层。本发明在VCSEL阵列激光器的基础上贴合液晶层，通过调节电压改变液晶层折射率值，进而调整发光单元之间的相位差和光束方向，解决传统VCSEL阵列激光器光束质量差的问题，实现高光束质量的同相模相干阵激光输出。
本发明授权一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种两相阵VCSEL激光光束控制装置，其特征在于，包括：VCSEL内腔层、第一液晶外腔层和第二液晶外腔层；所述VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构，所述VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元；所述第一液晶外腔层紧贴于所述VCSEL内腔层的出光区表面作为反射层；所述第二液晶外腔层紧贴所述第一液晶外腔层的上方，所述第二液晶外腔层通过与对应发光单元处的第一液晶外腔层间沿光束路径引入的折射率梯度差，以控制光场相位而改变激光光束的出射方向，实现无透镜聚焦。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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