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龙图腾网恭喜中山大学申请的专利一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111675551.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法是由刘扬;黎城朗设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法。通过选择区域外延，同时形成深槽p阱屏蔽层和凹槽结构，能够有效降低栅氧化层电场，避免了高氧化层电场带来的器件可靠性问题，同时避免了干法刻蚀带来的凹槽的损伤和界面态缺陷，从而提高器件的耐压能力和可靠性。

本发明授权一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.通过MOCVD在n型导电衬底1上外延生长器件漂移区2；S2.通过ICP刻蚀出需生长p阱的台面；S3.在器件漂移区2上通过PECVD沉积SiO2掩膜层3，去除器件需形成p阱区域和p型沟道层区域的SiO2掩膜层3；S4.通过MOCVD外延生长出p型GaN区域4和N型GaN区域5，去除SiO2掩膜层3；S5.在步骤S4形成的器件上生长栅介质层6；S6.通过光刻显影技术露出需要蒸镀源极区域位置处的栅介质层6，并使用缓冲氢氟酸溶液去除栅介质层6；S7.通过ICP刻蚀出源极和p型GaN区域4的欧姆接触窗口；S8.在器件p型GaN区域4上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀金属，并通过退火形成短接欧姆接触7；S9.在器件n型GaN区域5上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀金属，并通过退火形成欧姆接触作为源极8；S10.采用电子束蒸发法或磁控溅射法在器件凹槽区域上蒸镀金属，并通过退火形成栅电极9；S11.在n型导电衬底1上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀金属，并通过退火形成欧姆接触电极作为漏极10。

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