恭喜同和电子科技有限公司渡边康弘获国家专利权
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龙图腾网恭喜同和电子科技有限公司申请的专利III族氮化物半导体发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980082293.3，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权III族氮化物半导体发光元件及其制造方法是由渡边康弘设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物半导体发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供兼顾高发光输出和优异可靠性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。基于本发明的III族氮化物半导体发光元件在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极，从前述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且330nm以下，前述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，前述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下，且该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。
本发明授权III族氮化物半导体发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，其在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极，从所述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且280nm以下，所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，所述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下，并且，该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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